دیتاشیت BL4N90-P

BL4N90-P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BL4N90-P
حجم فایل 77.391 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 16

دانلود دیتاشیت BL4N90-P

BL4N90-P Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: BL(Shanghai Belling) BL4N90-P
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 140W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 17nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 900V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 900pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 3pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.6Ω@10V,2A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: BL(Shanghai Belling)

دیتاشیت محصولات مشابه